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5nm芯片工藝的發(fā)展有了新的進(jìn)展

作者：系統(tǒng)天地日期：2020-03-24

關(guān)于5nm芯片工藝的發(fā)展有了新的進(jìn)展，其晶體結(jié)構(gòu)側(cè)視圖曾在一篇論文中披露。根據(jù)專業(yè)機(jī)構(gòu)分析預(yù)測，臺積電5nm的柵極間距為48nm，金屬間距則是30nm，鰭片間距25-26nm，單元高度約為180nm，按照這個計算，臺積電5nm的晶體管密度將是每平方毫米1.713億個。

目前尚未公布5nm工藝的具體指標(biāo)，只知道采用的是大規(guī)模集成EUV極紫外光刻技術(shù)。臺積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn)，第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn)，蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它，而且消息稱初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶完全包圓，特別是蘋果占了最大頭。