根據(jù)系統(tǒng)天地網(wǎng)的消息，最新消息顯示兆易創(chuàng)新、合肥長鑫的國產(chǎn)DRAM將使用19nm工藝，預(yù)計(jì)下半年試產(chǎn)，項(xiàng)目建成之后產(chǎn)能可達(dá)全球DRAM產(chǎn)能的8%。

據(jù)悉，位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)的長鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目的300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已全部到位，運(yùn)營及研發(fā)團(tuán)隊(duì)全部入駐廠房辦公區(qū)，今年下半年將投片試生產(chǎn)。

內(nèi)存國產(chǎn)化節(jié)奏的加快，國內(nèi)多家廠商都公布了自己的DRAM內(nèi)存生產(chǎn)計(jì)劃。近日，長江存儲(chǔ)也迎來了自己的首臺(tái)光刻機(jī)，5月19日，光刻機(jī)已運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運(yùn)至長江存儲(chǔ)的工廠。

據(jù)悉，長江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)同樣來自ASML，為193nm浸潤式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬美元，約人民幣4.6億元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長江存儲(chǔ)3D NAND閃存芯片的工藝制程。

隨著國家政策的扶持以及更多資金的扶持，用上高品質(zhì)國產(chǎn)內(nèi)存將指日可待。