三星電子宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存，同時(shí)擁有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96層堆疊設(shè)計(jì)，是目前行業(yè)紀(jì)錄，內(nèi)部集成了超過(guò)850億個(gè)3D TLC CTF閃存存儲(chǔ)單元，每單元可保存3比特?cái)?shù)據(jù)，單Die容量達(dá)256Gb(32GB)。

這些單元以金字塔結(jié)構(gòu)堆積，并在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞，尺度僅有幾百微米寬。

它還業(yè)內(nèi)首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面，在存儲(chǔ)與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40％，同時(shí)電壓從1.8V降至1.2V，能效大大提高。

數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。

三星還透露，正在開(kāi)發(fā)1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND閃存顆粒。