JEDEC 表示會在2018年完成 DDR5 標準，DDR5的帶寬和密度也將是 DDR 4 的兩倍，同時能耗更低。如果 DDR5 標準在2018 年修訂完畢，我們可能要等到2020年才會看到配備 DDR5 內(nèi)存的電腦。Mac 電腦也要等到2020年才會有 DDR5 內(nèi)存了，不過 Mac Pro 的未來仍然不確定。DDR5到底是什么？為啥會成為下一代內(nèi)存標準呢？近天咱們就來看一看吧。

首先小編必須說明一下，很多關(guān)注顯卡的小伙伴肯定會發(fā)現(xiàn)，在顯卡里早就用上DDR5了，這不是啥新鮮東西呀？其實并不是這樣，從前幾代開始，顯存就與內(nèi)存顆粒有了差別，比如GDDR5，就是一種從DDR3發(fā)展而來的顆粒，而DDR5的“爹”是DDR4。

DDR5的規(guī)范其實在2016年就開始規(guī)劃，也就是說DDR4剛剛開始走上正軌，廠商們就在籌劃下一代內(nèi)存了。這一規(guī)范主要由三星提出，美光參與，具體性能方面，DDR5姜蔥3.2GHz等效頻率起跳，主流頻率可能會達到6.4GHz，容量則為16GB起跳，電壓1.1V。

DDR5其實就是等效頻率翻倍的DDR4，而其翻倍的方式也和之前的DDR2、3、4一樣，利用了每個時鐘周期內(nèi)電平的不同來觸發(fā)，在保持基礎(chǔ)頻率的基礎(chǔ)上可以獲得數(shù)倍的等效運行頻率。這樣漸進式的發(fā)展兼容性更好，是DDR5成為下一代標準的主要原因之一。

一個時鐘周期傳輸多次數(shù)據(jù)（上）和一次數(shù)據(jù)的區(qū)別

當然為了達到這么高的運行速度，并且保證高速運行的穩(wěn)定性，DDR5也增加了一些新模塊、電路和算法，比如相位旋轉(zhuǎn)器（phase rotator）、注頻鎖相振蕩器（injection locked oscillator）一類的。但這些與我們實際使用無關(guān)，不用去關(guān)注。

其實除了DDR5，目前已經(jīng)很成熟的內(nèi)存技術(shù)還有HBM（高帶寬內(nèi)存），它在高端顯卡上的表現(xiàn)也很搶眼。為啥HBM不能成為新一代PC內(nèi)存呢？咱們先來看看這種內(nèi)存到底有啥特色吧。

HBM內(nèi)存最大的特色就是位寬特別高，所以可以在較低頻率下實現(xiàn)很高的數(shù)據(jù)傳輸率。以道路為例，如果說DDR內(nèi)存是不斷提高車速的話，HBM就是把路盡量拓寬。它的構(gòu)造也和DDR完全不同，是好多層顆粒層疊放置，所以同容量下的體積也可以做得很小。

HBM內(nèi)存的問題也恰恰在于它的工作方式，由于帶寬非常大但頻率相對較低，所以與核心連接的線路更復(fù)雜、對延遲的敏感度更高。要用HBM做PC內(nèi)存的話，內(nèi)存插槽與處理器接口間就必須盡量接近，而且線路非常復(fù)雜密集，而如果像GPU一樣把它直接做在CPU旁邊，就要放棄內(nèi)存插槽，這都需要對主板結(jié)構(gòu)進行大改。

另外的問題來自CPU，HBM能用于GPU的原因是現(xiàn)在GPU顯存位寬都很大，主流產(chǎn)品192bit起步，使用HBM的Vega 64更達到2048bit。但目前主流CPU的內(nèi)存控制器只能使用128bit雙通道，根本沒法充分利用HBM的高帶寬，甚至還限制了可用的內(nèi)存容量。

Vega 64的2048bit位寬只能支持兩個HBM顆粒，總?cè)萘?GB

DDR內(nèi)存總歸是一種改進式產(chǎn)品，速率一直加倍加倍的需要越來越精細地控制電平，稍微有一點波動就會造成頻率不穩(wěn)，長遠看來必然難以為繼，HBM或者更新架構(gòu)的內(nèi)存才是未來的發(fā)展方向。不過這需要處理器、主板甚至整個PC架構(gòu)大改，所以應(yīng)該不會在最近發(fā)生。

DDR5內(nèi)存上市時間

據(jù)悉，7nm工藝下的 DDR5內(nèi)存要到2020年才會商用，首批自然還是服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心，消費級的DDR5內(nèi)存要等到2020年之后才會上市。

準備裝機的小伙伴也許擔心現(xiàn)在選DDR4會不會很快被淘汰，其實完全不必。DDR5還沒正式商品化，更不要說價格平穩(wěn)、普及主流了，大規(guī)模取代DDR4內(nèi)存估計要到2022年了。近期的處理器和芯片組即使開始支持DDR5，也必然會保留對DDR4的支持，且主流主板肯定也會有DDR4插槽的。